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蓝宝石


名称:蓝宝石/氧化铝(Al2O3)晶体基片

Al2O3单晶(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片

晶体结构:

六方  a =4.758 ?   c= 12.992 ?

结晶方向:

(11-20 ) - a plane:2.379 ?  (1-102) - r plane:3.479?

(30-30) - m plane:1.375 ?  (0006) - c plane:2.165 ?

单晶纯度:

> 99.99%

熔点:

2040 ℃

密度:

3.98  g/cm3

硬度:

9 (mohs)

热膨胀:

7.5 (x10-6/ oC)

热容:

0.10( cal / oC)

热导:

46.06 @ 0 oC  25.12 @ 100 oC,  12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )

介电常数:

~ 9.4 @300K  at A axis    ~ 11.58@ 300K at C axis

正切损耗:

< 2x10-5 at A axis , <5 x10-5 at C axis

1、 C-Plane蓝宝石基板

广泛使用的供GaN生长的蓝宝石基板面.这主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定,在C面进行磊晶的技术成熟稳定。

2、R-Plane或M-Plane蓝宝石基板

主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光效率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面GaN外延,克服这一物理现象,使发光效率提高。

3、 图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS)

以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光形式,并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷,改善磊晶质量,并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。

4、此外,可按客户要求加工定制蓝宝石棱镜、表镜、透镜、孔件、锥台等各种结构件。

晶向:

C, A, M, R   公差:±0.5度

尺寸:

dia6“x1.1mm     dia4”x0.65mm  dia3“x0.5mm,  dia2”x0.43mm,10x10x0.4mm,15x15x0.4mm, 15x15x0.4mm, 20x20x0.4mm等各种尺寸

抛光情况:

单抛、双抛

表面粗糙度:

Ra<3A(5*5μm范围内)

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

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