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SOI绝缘体上硅/GOI/SOS
进口4-8英寸,Simox、bonding、smart cut、BESOI等SOI晶圆片;
公司可为客户提供法国Soitec、日本信越半导体(SHE)、美国SunEdison、英国ICMOS、芬兰Okmetic等不同厂家的 100mm, 125mm, 150mm以及200mmSOI晶圆片。产品系列包括Smart cut、bonding,SIMOX 晶圆等,并可提供用户需求的各种顶层硅厚度。公司还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SOI晶圆系列和用于RF系统集成用的高阻SOI晶圆片。
顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。公司可提供SOI晶圆片的顶层硅最薄可达10纳米,最厚可至几十微米或更多。更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。
SOI/GOI (Ge on insulator )/SOS ( Silicon-on-Sapphire)
产品名称:进口Al2O3+Si薄膜 (SOS)
Si晶向: |
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Si掺杂类型: |
本征;不掺杂 |
Si厚度: |
0.6 um +/- 0.05 um |
Si电阻率: |
> 100 ohm.cm |
Micro-particle density (for particles > 2 um): |
< 2/cm^2 |
Al2O3基片: |
R plane with single flat |
Al2O3边取: |
One flat 32.5mm +/-2.5mm, at 45+/- 1 deg CCW fromon |
Al2O3尺寸: |
dia100 x 0.46 mm |
TTV: |
< 15 um |
Bow: |
< 20 um |
Warp: |
< 20 um |
Flatness (TIR) |
< 12 um |
抛光情况: |
单抛(正面外延抛光,背面光学级抛光,背面激光有激光标记) |
备注: |
可按照客户要求在C plane Al2O3上镀Si |